据韩国联合通讯社7月21日报道，三星电子成功研发出世界首款30纳米级2千兆字节DDR3 DRAM内存芯片，并已从本月开始进入批量生产。
    
    30纳米级别是指半导体元件基板电路间的连线宽度为30纳米，与40纳米或50纳米级别相比，能在同样的空间容纳更多的电路。此外，其生产效率比40纳米DRAM内存芯片率提高了60%；成本竞争力比50纳米和60纳米DRAM内存芯片提高了两倍以上。
    
    DRAM作为半导体记忆芯片，通常用于电脑等大容量存储设备，而DDR是三星电子公司于1997年首推并成为业界标准的技术。30纳米级DDR3 DRAM的数据处理速度最高达2133Mbps（兆/秒），处理速度分别比过去的DDR3 DRAM和DDR2 DRAM提高1.6倍和3.5倍。
    
    同时，30纳米级DDR3 DRAM的设计符合大容量内存芯片，因此耗电量与50纳米和40纳米DRAM内存芯片相比，分别减少了30%和15%以上。
    
    三星电子有关负责人称：“我们计划凭借环保型内存芯片30纳米级DDR3 DRAM，给我们的顾客提供最佳解决方案。”
    
    三星还计划在年内开始批量生产30纳米级4千兆字节DDR3 DRAM内存芯片，由此巩固其在全球30纳米级DRAM市场上的领先地位。